شرکت سامسونگ الکترونیک که از پیشتازان صنعت ساخت تراشه های حافظه در دنیا می‌باشد امروز اعلام کرد که تولید انبوه پیشرفته‌ترین تراشه حافظه DDR3 که از فناوری ساخت 20 نانومتری استفاده می‌کند را آغاز کرده است.
ظرفیت این تراشه چهار گیگابایت می‌باشد. گسترش ظرفیت حافظه، در حافظه های DRAM با توجه به اینکه هر سلول حافظه از یک خازن و یک ترانزیستور که به یکدیگر مرتبط شده‌اند تشکیل شده، نسبت به حافظه های NAND که هر سلول حافظه تنها از یک ترانزیستور تشکیل شده دشوار تر است. سامسونگ با به کارگیری فناوری 20 نانومتری توانسته بازده تولید ساخت حافظه های DDR3 را تا 30 درصد نسبت به انواع 25 نانومتری و تا 100 درصد نسبت به انواع 30 نانومتری بهبود بخشد. علاوه بر بازده بهتر در تولید، با استفاده از این تراشه 20 نانومتری می‌توان تا 25 درصد نسبت به انواع 30 نانومتری در مصرف انرژی صرفه جویی کرد. این پیشرفت در ساخت تراشه های حافظه بهینه تر پایگاهی را برای توسعه هر چه سبزتر صنایع کامپیوتری و IT در دنیا فراهم آورده است.
تراشه های 20 نانومتری DDR3 سامسونگ به زودی بازار پایه را با استفاده از صنایع کامپیوتر و IT در رایانه های شخصی و موبایل فرا می‌گیرند. بر اساس تحقیقات صورت گرفته بر روی این بازار توسط موسسه Gartner، ارزش بازار جهانی حافظه های DRAM از 35.6 میلیارد دلار در 2013 به 37.9 میلیارد دلار برای سال 2014 خواهد رسید.
دیدگاهتان را بنویسید